样品名称 |
样品描述 |
样品照片 |
OLED器件 |
具有自发光、广视角、高对比度、低能耗、反应速度高的优点,是重点发展的下一代显示技术之一;利用薄膜封装取代原有玻璃盖板封装方式,适应于柔性显示的封装需求。 |
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量子点薄膜ALD处理 |
通过在量子点薄膜内部间隙填充氧化铝等介电材料,提高量子点薄膜载流子迁移率,降低量子点表面非辐射复合中心;通过在量子点表面生长包覆一层致密均匀氧化铝阻隔膜,防止量子点在使用过程中水氧的侵蚀,提高量子点薄膜的水氧稳定性。 |
ALD包覆量子点微球 |
量子点微球是新一代量子点显示技术的重要原材料;通过微纳米颗粒ALD包覆技术,包覆并填充量子点微球内部缺陷,提升量子点微球结构稳定性,从而大幅度提升量子点显示可靠性和寿命。 |
蜂窝陶瓷 |
蜂窝陶瓷具有多孔薄壁的特点,有效增加其几何表面积,并改善其抗热冲击性能;蜂窝陶瓷最早应用于小型汽车尾气净化,现已广泛应用于化工、电离、冶金等行业中。 |
LiCoO2电池片 |
钴酸锂电池具有结构稳定、容量比高的优点,可广泛应用于手机、手提电脑等领域;结合卷到卷的空间隔离原子层沉积技术可实现对钴酸锂电池片的快速改性,实现其倍率性能与循环性能的提升。 |
脊柱骨光敏树脂SLA打印件 |
光敏树脂在一定波长的紫外光(250-300纳米)照射下立刻引起聚合反应,完成固化,是3D打印中一种常用的材料;光敏树脂SLA打印有较高的机械强度和精度,非常适合珠宝首饰、医学建模和对精度要求更高的原创性产品设计。 |
齿轮PEEK(聚醚醚酮)FDM-3D打印件 |
聚醚醚酮(英文poly-ether-ether-ketone,简称PEEK)属特种高分子材料,具有刚性和柔性,特别是对交变应力下的抗疲劳性非常突出,可与合金材料相媲美,并且具有优良的自润滑性、耐高温、耐腐蚀、阻燃性等物理化学性能;PEEK结构件打印件凭借优秀的润滑性和耐磨性在真空场所、军工及航天方面有广阔应用前景。 |
电机风扇叶轮 |
选区熔化成形技术是3D打印技术的一种,它打破传统的刀具、夹具和机床加工模式,根据零件或物体的三维模型数据,通过成型设备以材料累加的方式制成实物零件,该技术为解决我国航空、航天、船舶、汽车、能源、化工、医疗等广大制造业领域的复杂结构件减重设计及制造问题提供了一种新的解决途径。所展样品均为激光金属粉末选区熔化快速成形制件,相关技术操作简要介绍如下: 1、根据用户提供的零件图形和材质(316L)及相关技术要求,进行设备应用分析,采用成形空间在:250mm×250mm×250mm;制件精度:±0.05mm(长度L≤100mm)或±0.1%(L>100mm);分层厚度:0.005~0.02mm连续可调的设备上加工。 2、采用三维工程软件进行原型制作实时动态仿真分析后;导入具有自主知识产权的自动切片软件系统:控制软件能直接读取STL文件;然后对设备各工艺参数进行调用。 3、采用光纤激光器,在异形曲面成形段,控制激光功率输出动态比值,控制铺粉速度和层厚;使成形制件在薄壁处的致密度与力学性能,与整体保持一致性。 4、内应力的消除,在激光选区熔化过程中,启用设备成形腔体加热装置,采用激光扫描速度各段控制技术后,确保了制件无变形和无内应力。 |
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双曲线异形散热支承座 |
电卡材料与制冷器 |
电卡效应通过电场来诱导铁电体的极化熵变、控制材料的吸/放热过程以实现热搬运和制冷。电卡制冷无需有害环境的制冷剂,体积小、重量轻,效率更是传统压缩机制冷的3-6倍,研究可为大规模集成电路和大功率电气系统提供全新散热制冷方案,并对全球“节能减排”具有重要意义。 |
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介电储能材料与电容器 |
介电储能电容器的功率密度高、充放电速度快,是大功率储能设备和逆变系统的核心,被广泛用于军事(如电磁枪炮、飞机弹射系统)、科技(如粒子加速器、高能微波源)和民用(如新能源汽车)等领域。介电材料储能密度的提高(电极化率和抗击穿场强的提高)和储能效率的增大(剩余极化的减小)是优化电容器储能能力的关键。 |
基于铁电体的热释电红外敏感材料与器件 |
具有热释电特性的材料有上千种,但广泛应用的不过十几种,主要有硫酸三苷肽、锆钛酸铅镧、透明陶瓷和聚合物薄膜。热释电材料在工业上可用作红外探测器件,热摄像管并在国防上有某些特殊用途。其优点是不用低温冷却,但灵敏度比相应的半导体器件低。 铁电体具有热释电效应,其极化率随红外信号引起的热起伏而改变。热释电材料是非制冷型红外探测器的核心敏感元。 |
高效硫化锑太阳能电池 |
硫化锑主要用于制造火柴和烟火、各种锑盐和有色玻璃,橡胶工业用作硫化剂及军工用等,也可作为光电子材料在太阳能电池、光电化学等领域有很好的应用前景。 下一代硅基叠层电池顶电池,与硅基叠层有望将其单结理论效率从29.4%提升至43%。当前对应研究性能处于国际前列,具有对应的制造装备和开发技术的原创性专利。 |
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非铅钙钛矿(Cs2Sb2I9)无机薄膜太阳能电池 |
钙钛矿太阳能电池因其光吸收效率高、载流子寿命长、晶格缺陷容忍度高、能带可调等优点得到迅速发展,在短短几年内其太阳能转化效率已经达到22.1%。然而,在人们看到钙钛矿太阳能电池广阔发展前景的同时,其铅毒性和不稳定性严重限制了它的应用推广。 非铅钙钛矿无机薄膜太阳能电池有望克服传统铅卤钙钛矿的含有毒铅元素以及稳定性问题,同时继承了铅卤钙钛矿优异的光电属性。研究开发了其低温溶液法制程,获得的器件性能处于当前报道同类电池的国际前列。通过进一步深入研究,有望实现其稳定性和高性能的协同。 |
胶体量子点红外太阳能电池 |
量子点太阳能电池,是第三代太阳能光伏电池,也是目前最新、最尖端的太阳能电池之一,其尺度介于宏观固体与微观原子、分子之间,在理论计算时可当作大分子处理。与其它吸光材料相比,量子点具有独特的优势:量子尺寸效应。通过改变半导体量子点的大小,就可以使太阳能电池吸收特定波长的光线,即小量子点吸收短波长的光,而大量子点吸收长波长的光。 该电池基于胶体量子点吸收层,可采用卷对卷等印刷工艺制备在任何基底,克服传统电池的刚性和对基底的苛刻要求。同时,该类电池具有与当前开发的各类电池的配合能力,与硅基电池契合,可有望在硅基电池基础上提升效率6个点。研究组研发的该类电池目前达到刚性基底效率为11%,柔性电池达到8%,均处于该类电池的国际前沿水平。 |
可大面积制备石墨烯薄膜 |
以铜箔为催化剂及基底,通过化学气相沉积法在1000度高温条件下,使碳原子在铜表面形核长大约20分钟,即可形成连续的、厘米级尺寸的大面积石墨烯薄膜。 |
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可以保护转移的石墨烯薄膜 |
将铜箔表面的石墨烯薄膜转移到硅片等介电基底上,以实现石墨烯基电子器件的后续应用,所制备的石墨烯薄膜透光率约97.5%,石墨烯薄膜面电阻约500欧姆每方。 |
二硫化钼制件 |
二硫化钼是重要的固体润滑剂,特别适用于高温高压下,具有抗磁性,可用作线性光电导体和显示P型或N型导电性能的半导体,具有整流和换能的作用,还可用作复杂烃类脱氢的催化剂。以下是具体展示样品: 二硫化钼单晶:采用化学气相输运的方法,在温度梯度为1060-950℃的安瓿瓶内,生长高质量、缺陷密度低的毫米级大尺寸(2*8mm)二硫化钼单晶。 二硫化钼场效应光电晶体管:具有高电流开关比(>106),低暗态电流噪声(~ pA),高载流子迁移率(~ 50 cm2/Vs),在紫外和可见光波段有很高的光电响应(>1 A/W)。 |
MEMS气体传感器 |
采用MEMS微热板技术制备气体传感器,能够显著降低传感器功耗和体积,并且和CMOS工艺兼容,在尺寸、功耗、响应时间、电路应用集成化方面有显著优势。 |
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声表面波气体传感器 |
声表面波器件由压电材料、叉指换能器和振荡电路构成,具有精度高、分辨率高、抗干扰能力强、适合远距离传送的优点,由于输出信号为振荡器频率的变化,易于与计算机接口组成自适应实时处理系统。将声表面波衬底与量子点结合,可以发挥两者的优势,制备出无线无源的气体传感器探头,满足特殊的应用需求。 |
量子点TO封装气体传感器 |
利用量子点高比表面积和高气敏活性的优点制备气敏薄膜,灵敏度和长期稳定性高于市售同类器件,并且具有工作温度低,功耗小的优点,适于物联网应用和组网需求。 |
性能优异的专用光刻感材料 |
1、均胶简便,易于操作,适用于在包括玻璃,硅片等各种透明和不基地。 2、无需前烘和后,极大地简化样品准备过程。 3、良好的基底附着性。 4、机械张力低。 5、机械强度高,确保采用更低的曝光剂量时,做加工的三维微纳结构不坍塌。 6、最小特征尺寸达到 150 nm(此处对应的飞秒激光源波长为1064nm,如果采用 532 nm的飞秒激光为源,则可实现最小特征尺寸在100纳米以下),最高特征分辨率(中心间距)高达 250nm。 7、独特的荧光位置指示性能,可高灵敏度指示直写聚焦光电在样品中的绝对位置。 8、无需复杂的显影过程,无需复杂的显影液。 9、除了有机树脂类材料,还可根据用户需求开发光刻感材料,包括在材料中添加稀土、金属等元素改性。 10、具备自主研发和生产包括有机树脂、半导体材料金属等多种成分在内的光刻胶。 11、材料自2017年下半年推出以来,已经得到深圳大学等用户的验证。 |
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半导体芯片的相关工艺及材料 |
半导体芯片的发明是二十世纪的一项创举,开创了信息时代的先河。无论计算机CPU使用的是何种芯片,在本质上都属于半导体芯片。以下是具体展示样品: 1、近厘米大小尺寸的单晶石墨烯 2、晶圆级连续单层石墨烯薄膜 3、大面积单层/少层WS2薄膜 4、大尺寸TMDs单晶 5、超过2cm2少层MoTe2薄膜 6、柔性全透明的半导体场效应晶管微电子器件
碲化钼常作为固体润滑剂应用于各种不同领域,实到样品: 1、大面积100%1T'相 2、锗纳米线 3、大面积混合相(亮白色为2H相,暗色为1T’相) 4、100%1T’;1T’/2H;2H/1T’;100%2H |
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